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半导体|2022上半年让半导体变得有趣的5个关键词( 二 )

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4、3D NAND竞争白热化
当前 ， 各大厂商在NAND层数堆叠上的竞争日趋白热化 。 美光、SK海力士、三星等头部厂商都已突破176层3D NAND技术 ， 进入200层以上的堆叠层数比拼 。 根据TrendForce集邦咨询数据 ， 随着110＋层闪存芯片的推出 ， 2023年市场总产出的72.5%会被110+层3D NAND闪存占据 。
1）三星正在加快200层以上NAND闪存的量产步伐 ， 韩国媒体《Business Korea》曾报道 ， 三星将在今年底明年初推出200层以上的NAND产品 ， 并计划在2023年上半年开始量产 。

2）美光科技（Micron Technology）将于今年晚些时候开始推出下一代3D NAND产品 ， 这是一种232层的工艺 ， 芯片上的密度高达1tb 。 Micron负责技术和产品的执行副总裁Scott DeBoer透露了未来十年3D NAND的路线图 ， 该路线图显示将超过400层 。
3）西部数据在近期公布的闪存技术路线图显示 ， 其计划与合作伙伴铠侠于2022年底前开始量产162层NAND产品 。 西数还透露 ， 2032年之前将陆续推出300层以上、400层以上与500层以上闪存技术 。
4）SK海力士最新的3D NAND层数是176层 ， 但其前CEO李锡熙在去年的IEEE国际可靠性物理研讨会（IRPS）上展望SK海力士产品的未来计划时曾预测 ， 未来有可能实现600层以上的NAND产品 。
5、3nm芯片即将上市
截至2022年3月 ， 量产最先进的制造工艺是5nm 。 据最新报道 ， 三星将会在近几周内启动全球首款基于3纳米工艺的大规模生产 。 TSMC也表示 ， 其3纳米FinFET架构将在今年下半年进入大规模生产 。 在销售额方面 ， 韩国三星代工一直落后于全球最大的半导体芯片代工制造商台积电 。 笔者认为 ， 三星是想在征服3nm工艺技术方面超过TSMC 。

通常 ， 工艺节点数量越少 ， 晶体管数量越多 。 这一点很重要 ， 因为晶体管数量越多 ， 芯片就越强大 ， 越节能 。 目前 ， 业界主流工艺技术是5nm ， 用于三星Galaxy S22和苹果iPhone13之类的产品 。
因此 ， 随着晶体管尺寸不断缩小 ， 预计三星将在未来几周成为首家推出3nm芯片的代工厂 。 除了转向下一个工艺节点 ， 三星还将使用其最新的晶体管设计 ， 称为GAA ， 而预计将于2022年下半年开始量产3nm的TSMC仍将使用旧的FinFET设计 。 与FinFET相比 ， GAA工艺使得芯片功耗降低近一半 ， 同时性能提高多达35% ， 性能提升多达30% 。

【半导体|2022上半年让半导体变得有趣的5个关键词】

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