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|曾年进口6000亿，国产打破“0”记录，撕开美韩封锁，抢回3%市场

|曾年进口6000亿，国产打破“0”记录，撕开美韩封锁，抢回3%市场
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在国产替代成为主流的同时 ， 越来越多的消费者开始关注到国产电子设备中有多少零部件是来源于中国企业 ， 又有多少仍然依赖进口 。
就以智能手机为例 ， 虽然在处理器、射频前端等核心元器件上 ， 中国手机厂商需要从海外进口 ， 但在其他零部件上国产替代率越来越高 。
尤其是今年上市的华为P50系列 ， 部分机型几乎完全做到了“去美化” ， 连手机处理器和射频前端都由中国供应商提供 。
除了处理器和射频前端之外 ， 国产存储芯片也终于打破了“0”纪录 ， 不仅撕开美韩对我国的封锁 ， 还抢回了3%的市场 。
据公开资料显示 ， 闪存颗粒包括DRAM和NAND Flash两种 。
以DRAM为例 ， 在相当长的一段时间内 ， 三星、SK海力士以及美光科技三大巨头把控着全球市场 ， 总占有率高达92.6% ， 中国企业几乎没有生存空间 。
但国内对各类存储芯片的需求却持续增长 ， 有数据表明 ， 我国在存储芯片方面的年进口额曾高达6000亿 。
不过 ， 随着中国半导体产业的崛起 ， 以及全球市场重心的转移 ， 国内涌现出一批研发能力与产品实力兼具的存储芯片制造商 ， 例如合肥长鑫存储、长江存储等 。
笔者了解到 ， 在现阶段全球缺芯潮持续蔓延的情况下 ， 为了应对市场对DRAM芯片需求的激增 ， 长鑫存储不断扩充产能 ， 在今年六月份公司第二期扩建项目正式展开 。
公司的第三期项目建设竣工后 ， DRAM产能有望提升至36万片每月 。 另外 ， 长鑫存储还预计 ， 在今年年底便能够成功实现对DDR5以及LPDDR5内存的研发 。
不过 ， 长鑫存储与国际大厂之间的差距仍然不容忽视 。 除了产能方面之外 ， 先进技术水平也与国际大厂差了一大截 。
据悉 ， 长鑫存储目前可以实现19nm ， 而三星最先进的技术是15nm ， 且即将于下半年采用更先进的14nm极紫外光刻技术 。
不同于长鑫存储 ， 主攻NAND闪存芯片的长江存储 ， 即将在技术层面追平国际大厂 。
笔者了解到 ， 目前产业链下游客户已经采用了长江存储研制出的128层3D TLC NAND闪存颗粒 。
这不仅意味着长江存储128层闪存实现量产 ， 还意味着该公司成功填补了国产高端固态硬盘领域的空白 。
值得一提的是 ， 还有消息称该公司已经成功实现了192层3D NAND闪存芯片的技术突破 ， 有望在2021年下半年实现量产 。
要知道 ， 192层是现阶段三星电子、SK海力士所掌握的最先进的闪存技术 。
如果长江存储能够在今年下半年或者明年实现192层产品的量产 ， 那么国产NAND 3D闪存将彻底打破韩国企业的垄断 ， 并且有希望掌握全球NAND 3D闪存市场的主导权 。
总而言之 ， 国产存储芯片已经强势崛起 ， 在未来会有越来越多的设备用上国产芯片 。 在高端领域 ， 一众中国存储芯片龙头企业也将实现从进口到出口的转变 。
【|曾年进口6000亿，国产打破“0”记录，撕开美韩封锁，抢回3%市场】文/谛林 审核/子扬 校正/知秋

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