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火龙888镇楼
众所周知 ， 骁龙888系列是个笑话 。 搭载骁龙888的安卓手机 ， 发热大 ， 耗电快 ， 性能峰值上不去 ， 结合在一起用一个词概括：废物 。 当然这不是高通第一次如此头铁了 。 上一次这么热 ， 是7年前的骁龙810 ， 因为过热造成体验降级 ， 直接把索尼LG等一堆高价日韩系手机干没了市场份额 。 而上上次这么热 ， 是13年前 ， 超频到800MHZ的高通MSM7225系列 ， 直接让还能继续战斗1年的windowsMobile6.5系统手机全线提前市场消失 。 所以说 ， 高通是有原罪的(确信) 。
那问题来了 ， 为何骁龙888采用的三星5nm工艺 ， 包括骁龙810采用的台积电20nm工艺 ， MSM7225系列采用的第一代台积电65nm工艺 ， 都这么热？芯片制程不是越小越好嘛？
摩尔规律
大家都知道一个摩尔定律 ， 其实就是戈登摩尔总结的半导体发展规律 ， 版本很多 ， 但是显然英特尔那边的说法是 ， 每24个月 ， 半导体晶体管规模跟性能要翻一倍 。 结合本系列前几篇的说法 ， 确实如此嘛 ， 从1960年代开始 ， 芯片晶体管跟频率都在不断增加 。 半导体工艺也越缩越小 ， 确实如此 。
60年来晶体管翻了6万倍
晶体管结构在物理层面足够大的时候 ， 不断缩小是可行的 。 但是如果晶体管达到一个非常小的规模的话 ， 比如达到一个很小的程度 ， 小到不能阻止电子漏出通道的程度 ， 那这个工艺本身就会发热漏电耗电严重了 。 而这个节点 ， 并不是眼前的什么1nm之类“先进工艺” ， 而是20世纪初的65nm工艺 。 从1996到2005年10年时间 ， 65nm工艺困扰了人类很久 ， 始终无法低成本量产65nm芯片 ， 无论IBM ， 英特尔还是AMD 。 而当时的大量芯片 ， 都卡在90nm工艺接近10年 ， 比如ARM789全线处理器 ， 游戏机 ， 甚至包括英特尔自己的PXA移动处理器系列 。 有个常识就是 ， 65nm并不比90nm工艺更省电 ， 甚至静态功耗还要多 ， 这就是高通MSM72XX系如此拉垮的原因 。 这样可以快进到芯片制造现在面对的更大的一个问题 ， 量子隧穿效应下2nm能不能实现都是疑问 。
某百科的原话：隧穿电子是指发生隧穿的电子(废话) 。 隧穿效应是一种量子特性 ， 是电子等微观粒子能够穿过它们本来无法通过的“墙壁”的现象 。 这就说的很明白了 ， 当“墙壁”的“缝隙”足够电子乱窜 ， 特别是“墙壁”的“砖头”足够小的时候 ， 那墙壁就失去了作用嘛 。 65nm时代就有低配版的这个问题出现 ， 解决时间是10年 。
量子隧穿
以2000年前后来说 ， 传统芯片制造模式 ， 是以IBM技术指导路线加整个日本工艺技术生产经验定义的 。 整个芯片内部电路排布 ， 从头到尾都是平面铺开设计的 。 这也是传统意义上的电路布局嘛 。 特别是尼康佳能的光刻设备阵列 ， 也是这个思路一路延伸 。 但是如果芯片缩小到了一个程度 ， 电子泄漏 ， 电路通电会收到互联线的磁场干扰 ， 这会让频率上不去 。 这就是串扰(crosstalk) ， 以及噪声(noise) ， 这也是当时英特尔宣布不玩频率战争的一个理由 。
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