4.硅锭切片
将制备好的单晶硅锭一头一尾切削掉 ， 并且对其直径修整至目标直径 ， 同时使用金刚石锯把硅锭切割成一片片厚薄均匀的晶圆（1mm） 。 有时候为了定出硅圆片的晶体学取向 ， 并适应IC制作过程中的装卸需要 ， 会在硅锭边缘切割出“取向平面”或“缺口”标记 。
5.研磨硅圆片
切割后的晶圆其表面依然是不光滑的 ， 需要经过仔细的研磨 ， 减少切割时造成的表面凹凸不平 ， 期间会用到特殊的化学液体清洗晶圆表面 ， 最后进行抛光研磨处理 ， 还可以在进行热处理 ， 在硅圆片表面成为“无缺陷层” 。 一块块亮晶晶的硅圆片就这样被制作出来 ， 装入特制固定盒中密封包装 。
制作完成的硅圆片
通常半导体IC厂商是不会自行生产这种晶圆 ， 通常都是直接从硅圆片厂中直接采购回来进行后续生产 。
前工程——制作带有电路的芯片
6.涂抹光刻胶
买回来的硅圆片经过检查无破损后即可投入生产线上 ， 前期可能还有各种成膜工艺 ， 然后就进入到涂抹光刻胶环节 。 微影光刻工艺是一种图形影印技术 ， 也是集成电路制造工艺中一项关键工艺 。 首先将光刻胶（感光性树脂）滴在硅晶圆片上 ， 通过高速旋转均匀涂抹成光刻胶薄膜 ， 并施加以适当的温度固化光刻胶薄膜 。
光刻胶是一种对光线、温度、湿度十分敏感的材料 ， 可以在光照后发生化学性质的改变 ， 这是整个工艺的基础 。
7.紫外线曝光
就单项技术工艺来说 ， 光刻工艺环节是最为复杂的 ， 成本最为高昂的 。 因为光刻模板、透镜、光源共同决定了“印”在光刻胶上晶体管的尺寸大小 。
将涂好光刻胶的晶圆放入步进重复曝光机的曝光装置中进行掩模图形的“复制” 。 掩模中有预先设计好的电路图案 ， 紫外线透过掩模经过特制透镜折射后 ， 在光刻胶层上形成掩模中的电路图案 。 一般来说在晶圆上得到的电路图案是掩模上的图案1/10、1/5、1/4 ， 因此步进重复曝光机也称为“缩小投影曝光装置” 。
一般来说 ， 决定步进重复曝光机性能有两大要素：一个是光的波长 ， 另一个是透镜的数值孔径 。 如果想要缩小晶圆上的晶体管尺寸 ， 就需要寻找能合理使用的波长更短的光（EUV ， 极紫外线）和数值孔径更大的透镜(受透镜材质影响 ， 有极限值） 。
目前最先进的ASML公司 TWINSCAN NXE:3300B
8.溶解部分光刻胶
对曝光后的晶圆进行显影处理 。 以正光刻胶为例 ， 喷射强碱性显影液后 ， 经紫外光照射的光刻胶会发生化学反应 ， 在碱溶液作用下发生化学反应 ， 溶解于显影液中 ， 而未被照射到的光刻胶图形则会完整保留 。 显影完毕后 ， 要对晶圆表面的进行冲洗 ， 送入烘箱进行热处理 ， 蒸发水分以及固化光刻胶 。
9.蚀刻
将晶圆浸入内含蚀刻药剂的特制刻蚀槽内 ， 可以溶解掉暴露出来的晶圆部分 ， 而剩下的光刻胶保护着不需要蚀刻的部分 。 期间施加超声振动 ， 加速去除晶圆表面附着的杂质 ， 防止刻蚀产物在晶圆表面停留造成刻蚀不均匀 。
10.清除光刻胶
通过氧等离子体对光刻胶进行灰化处理 ， 去除所有光刻胶 。 此时就可以完成第一层设计好的电路图案 。
11.重复第6-8步
由于现在的晶体管已经3D FinFET设计 ， 不可能一次性就能制作出所需的图形 ， 需要重复第6-8步进行处理 ， 中间还会有各种成膜工艺（绝缘膜、金属膜）参与到其中 ， 以获得最终的3D晶体管 。
12.离子注入
在特定的区域 ， 有意识地导入特定杂质的过程称为“杂质扩散” 。 通过杂质扩散可以控制导电类型（P结、N结）之外 ， 还可以用来控制杂质浓度以及分布 。
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