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【锚思科技讯】随着三星努力将DDR6芯片推向市场 , 该公司在内存芯片开发方面取得了长足进步 。 最近新闻报道显示 , 这家韩国科技巨头计划采用改进的Semi-Additive Process(mSAP)封装技术来生产DDR6芯片 。
三星副总裁高永光(Younggwan Ko)最近在水原举行的一次研讨会上表示 , 随着内存半导体的功能越来越强大 , 封装技术必须与之一同发展 。 将mSAP工艺应用于DDR6内存芯片将使三星能够制造出具有更精细电路的芯片 。
据Ko称 , 三星的竞争对手已经为DDR5内存使用了mSAP , 三星正在为DDR6使用这种封装技术 。
【AirPods|三星将使用mSAP技术实现更精细的DDR6电路】
与此同时 , 三星本周早些时候推出了首款24Gbps图形卡GDDR6 DRAM芯片 。 同时 , 该公司正处于DDR6开发的早期阶段(不要与GDDR6混淆) 。 根据去年的一份报告 , 它的DDR6设计可能在2024年完成 。
DDR6的速度预计是DDR5的两倍 , 并且拥有两倍于DDR5的内存通道 。 DDR6可以在JEDEC模块上实现约12800Mbps的传输速率或17000Mbps的超频 。
去年早些时候 , 三星宣布了世界上第一款DDR5-7200 512GB内存 , 其性能比DDR4解决方案高出40% 。
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