比如之前美国有一位工程师就曾经提到过 ， 为了打造EUV光刻机上的一个零部件 ， 他反反复复打造了近10年时间 ， 才生产出符合EUV光刻机要求的零部件 。
对于其他零部件来说也是一样的道理 ， 很多零部件都需要经过长时间的研究 ， 不断地打磨才能够生产出符合顶尖光刻机要求的产品 ， 最终把所有优秀的零部件组合在一起 ， 才能形成一个顶尖的EUV光刻机 。
所以决定光刻机制造水平并不是我们最擅长的技术 ， 而是我们最短板的技术 ， 如果某一个技术短板没法解决 ， 将会影响整个光刻机的研发进程 。
第三、顶尖光刻机一些核心零部件我们尚不掌握技术 。 前面我也提到了 ， 一台顶尖EUV光刻机由几万个零部件构成 ， 这里面有很多核心零部件 ， 其中最重要的两个零部件包括镜头以及光源 ， 这两个零部件直接决定着光刻机的水平 。
而目前真正能够生产出符合EUV光刻机要求镜头的只有德国蔡司一家 ， 能够生产复合EUV光刻机光源的只有美国的cymer(目前已经被ASML收购) 。
这里面不论是镜头还是光源技术 ， 要求都非常高 ， 其中镜头表面要求非常平整 ， 至于这个技术有多高 ， 我们无法用言语来形容 。
但我们可以举一个简单的例子 ， 假如把EUV光刻机的镜头当作德国的面积 ， 那么整个面积最高凸起的地方不能超过一厘米 ， 大家自己想象一下难度有多大 。
与此同时 ， EUV光刻机的光源必须保证功率足够大 ， 能够持续输出稳和强大的光源 ， 这样才能减少误差 ， 提高精度 。
也正因为EUV光刻机要求非常高 ， 所以目前我们暂时不具备独立生产EUV光刻机的能力 ， 这也是为什么过去十几年我国一直在研究发光刻机 ， 但一直没有实现太大技术突破的重要原因 。
目前我国已经量产的最先进光刻机只有90纳米 ， 这跟ASML7纳米光刻机差距非常大 ， 虽然目前上海微电子已经研发出28纳米的光刻机 ， 但截至目前仍然没有量产 ， 还在处于试产阶段 。
【微软|中国突破EUV光刻机关键技术，ASML地位不稳？别盲目高兴】所以大家必须清醒地认识到目前我国光刻机跟国际先进水平的差距 ， 只有认识到这种差距才能不断的去弥补差距 ， 不要因为某一个技术的突破就觉得我们可以跟国际顶尖水平相互抗衡了 ， 至少从短期来看不太现实 。
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