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台积电 ， 三星不断挖掘芯片性能 ， 已经下探到3nm了 。 台积电打算在今年下半年正式投入3nm的量产 ， 三星似乎领先台积电一步 ， 会在6月底之前进行3nm量产 。 这两大芯片制造巨头的芯片发展速度让人望尘莫及 。
不过英特尔传来新消息 ， 推翻了芯片命名方式 ， 很快就能量产比肩台积电 ， 三星的4nm芯片产品 。
英特尔重新制定芯片命名方式有何意义？若按照英特尔的标准来判断 ， 中芯国际处在怎样的工艺水平呢？
芯片命名方式业内判断一款芯片属于怎样的工艺水准 ， 会根据多少nm数值来判断 ， 比如7nm ， 5nm等等 。 数值越小 ， 则代表芯片越先进 ， 可容纳的晶体管数量也就更多 。
台积电和三星都在冲击3nm ， 但很多人并不知道的是 ， 二者的工艺差距是存在的 ， 并非完全一致 。
由于台积电的工艺更先进 ， 因此台积电的3nm不论是晶体管密度还是性能提升表现都更加出色 。 虽然都是3nm ， 却因为台积电 ， 三星的芯片命名方式让外界产生很多误解 ， 觉得工艺升级非常大 ， 实际上每平方毫米的晶体管数量有很大的差异 。
那么台积电 ， 三星的芯片工艺是如何命名的呢？二者遵守传统 ， 根据栅极的最小宽度来判断属于多少nm制程 。
往下发展再根据集成度 ， 器件性能的提升和晶体管数量的增加来决定下一代制程 。 但随着新型架构技术的运用 ， 传统的命名方式已经无法和栅极宽度相提并论了 ， 多少nm已然不是衡量芯片工艺的唯一标准 。
由于从传统的角度出发 ， 可以让台积电 ， 三星占很大的便宜 ， 给人一种一两年内就能突破一代工艺制程的良好印象 。
英特尔推翻芯片命名方式若按照台积电 ， 三星的芯片命名方式去衡量其它芯片制造商 ， 会吃很大的亏 ， 就比如英特尔 。
英特尔的10nm每平方毫米密度达到了1.06亿 ， 三星 ， 台积电在7nm的/mm密度分别为0.95亿和0.97亿。 由此可见英特尔的10nm已经和台积电 ， 三星7nm相当了 ， 甚至还要出色 。
为避免传统命名方式带来的固有印象 ， 英特尔推翻了芯片命名方式 。 不再以多少nm命名 ， 而是划分成五大工艺节点 ， 分别包括10nm、Intel 7、Intel 4、Intel 3、20A 。
英特尔传来的新消息 ， 目前已经在发展Intel 4工艺了 ， 并将于2023年正式推出 ， 采用EUV工艺制造 。
Intel 4对应的其实就是台积电 ， 三星的4nm了 ， Intel 3自然就是对应3nm ， 至于更先进的20A ， 这个已经触及到埃米时代 ， 不是短时间能完成的 。
按照英特尔全新的芯片命名方式来看 ， 和台积电 ， 三星只相差了一代工艺 。 英特尔正式确认会获得ASML下一代NA EUV光刻机首发 ， 这比台积电 ， 三星还要早拿到拿到更先进的EUV光刻机 。
这意味着英特尔有望和台积电 ， 三星实现真正的三足鼎立 ， 在角逐高端工艺领域大放异彩 。 那么英特尔重新制定芯片命名方式有什么意义呢？很大的意义在于不会再让人过于执着多少nm了 ， 让人明白芯片性能提升才是衡量工艺的重要标准 。
若根据栅极宽度来命名 ， 有多少芯片制造商会因此失去受市场关注的机会 。 判断晶体管每平方毫米的密度会成为未来芯片命名的主要方式 。 因此 ， 按照英特尔的标准来判断 ， 中芯国际处在怎样的工艺水平呢？
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